QS6M3TR MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
QS6M3TR MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
Política de seguridad
Política de envío
Política de devolución
QS6M3TR MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
Estilo de montaje: SMD/SMT
Encapsulado: TSMT-6
Número de canales: 2 Channel
Polaridad de transistor: N-Channel, P-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 30 V, - 20 V
Id: corriente de drenaje continuo: 1.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 260 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): 12 V
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Modo canal: Enhancement
Configuración: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de caída: 18 ns, 12 ns
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Pd (disipación de potencia): 1.25 W
Tiempo de establecimiento: 18 ns, 12 ns
Serie: QS6M3